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G350P02LLE

G350P02LLE
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產(chǎn)品型號 G350P02LLE
制造商 Goford Semiconductor
產(chǎn)品介紹 P-20V,-8.2A,RD(MAX)<8.5M@-4.5V,V
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeP-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4.5A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs35mOhm @ 4A, 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs17.2 nC @ 10 V Vgs (Max)±10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1126 pF @ 10 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)1.4W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackageSOT-23-6L
Package / CaseSOT-23-6

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