TP65H035WSQA
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| 產(chǎn)品型號 | TP65H035WSQA |
|---|---|
| 制造商 | Transphorm |
| 產(chǎn)品介紹 | GANFET N-CH 650V 47.2A TO247-3 我們努力為客戶提供 Transphorm品牌的產(chǎn)品TP65H035WSQA 最有競爭力的供應鏈服務，請登錄我們官網(wǎng) m.r8uu.com了解產(chǎn)品信息或聯(lián)系我們銷售代表 |
- 產(chǎn)品參數(shù)
- pdf參數(shù)資料
Product parameter
| Product Status | Active | FET Type | N-Channel |
|---|---|---|---|
| Technology | GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 47.2A (Tc) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 41mOhm @ 32A, 10V | Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24 nC @ 10 V | Vgs (Max) | ±20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1500 pF @ 400 V | FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 187W (Tc) | Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole | Supplier Device Package | TO-247-3 |
| Package / Case | TO-247-3 |
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