TP65H300G4LSG-TR
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| 產(chǎn)品型號(hào) | TP65H300G4LSG-TR |
|---|---|
| 制造商 | Transphorm |
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- 產(chǎn)品參數(shù)
- pdf參數(shù)資料
Product parameter
| Product Status | Active | FET Type | N-Channel |
|---|---|---|---|
| Technology | GaNFET (Gallium Nitride) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.5A (Tc) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 8V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 312mOhm @ 5A, 8V | Vgs(th) (Max) @ Id | 2.6V @ 500μA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.6 nC @ 8 V | Vgs (Max) | ±18V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 760 pF @ 400 V | FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 21W (Tc) | Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount | Supplier Device Package | 3-PQFN (8x8) |
| Package / Case | 3-PowerDFN |
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TP65H300G4LSG-TR是一款高性能、可靠性強(qiáng)的單 FET、MOSFET
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