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RZM002P02T2L

RZM002P02T2L
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產(chǎn)品型號 RZM002P02T2L
制造商 ROHM Semiconductor
產(chǎn)品介紹 MOSFET P-CH 20V 200MA VMT3
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeP-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C200mA (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.2Ohm @ 200mA, 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 100μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.4 nC @ 4.5 V Vgs (Max)±10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds115 pF @ 10 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)150mW (Ta) Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackageVMT3
Package / CaseSOT-723

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