NVH4L020N120SC1
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產(chǎn)品型號 | NVH4L020N120SC1 |
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制造商 | onsemi |
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- 產(chǎn)品參數(shù)
- pdf參數(shù)資料
Product parameter
Product Status | Active | FET Type | N-Channel |
---|---|---|---|
Technology | SiCFET (Silicon Carbide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 102A (Tc) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28mOhm @ 60A, 20V | Vgs(th) (Max) @ Id | 4.3V @ 20mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 220 nC @ 20 V | Vgs (Max) | +25V, -15V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2943 pF @ 800 V | FET Feature | - |
Power Dissipation (Max) | 510W (Tc) | Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Mounting Type | Through Hole | Supplier Device Package | TO-247-4L |
Package / Case | TO-247-4 |
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NVH4L020N120SC1是一款高性能、可靠性強的單 FET、MOSFET
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