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TP65H015G5WS

TP65H015G5WS
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產(chǎn)品型號 TP65H015G5WS
制造商 Transphorm
產(chǎn)品介紹 650 V 95 A GAN FET
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyGaNFET (Gallium Nitride) Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C93A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs18mOhm @ 60A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id4.8V @ 2mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs100 nC @ 10 V Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds5218 pF @ 400 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)266W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole Supplier Device PackageTO-247-3
Package / CaseTO-247-3

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