G3R45MT17K
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產(chǎn)品型號 | G3R45MT17K |
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制造商 | GeneSiC Semiconductor |
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- 產(chǎn)品參數(shù)
- pdf參數(shù)資料
Product parameter
Product Status | Active | FET Type | N-Channel |
---|---|---|---|
Technology | SiCFET (Silicon Carbide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 1700 V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 61A (Tc) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 15V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 58mOhm @ 40A, 15V | Vgs(th) (Max) @ Id | 2.7V @ 8mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 182 nC @ 15 V | Vgs (Max) | ±15V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4523 pF @ 1000 V | FET Feature | - |
Power Dissipation (Max) | 438W (Tc) | Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Mounting Type | Through Hole | Supplier Device Package | TO-247-4 |
Package / Case | TO-247-4 |
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