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SCT3040KW7TL

SCT3040KW7TL
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產品型號 SCT3040KW7TL
制造商 ROHM Semiconductor
產品介紹 SICFET N-CH 1200V 56A TO263-7
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologySiCFET (Silicon Carbide) Drain to Source Voltage (Vdss)1200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C56A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)-
Rds On (Max) @ Id, Vgs52mOhm @ 20A, 18V Vgs(th) (Max) @ Id5.6V @ 10mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs107 nC @ 18 V Vgs (Max)+22V, -4V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1337 pF @ 800 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)267W Operating Temperature175°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackageTO-263-7
Package / CaseTO-263-8, D2Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

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