G3R30MT12K
GeneSiC Semiconductor圖片僅供參考。
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| 產品型號 | G3R30MT12K |
|---|---|
| 制造商 | GeneSiC Semiconductor |
| 產品介紹 | SIC MOSFET N-CH 90A TO247-4 我們努力為客戶提供 GeneSiC Semiconductor品牌的產品G3R30MT12K 最有競爭力的供應鏈服務，請登錄我們官網(wǎng) m.r8uu.com了解產品信息或聯(lián)系我們銷售代表 |
- 產品參數(shù)
- pdf參數(shù)資料
Product parameter
| Product Status | Active | FET Type | N-Channel |
|---|---|---|---|
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 90A (Tc) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 15V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 36mOhm @ 50A, 15V | Vgs(th) (Max) @ Id | 2.69V @ 12mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 155 nC @ 15 V | Vgs (Max) | ±15V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3901 pF @ 800 V | FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 400W (Tc) | Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole | Supplier Device Package | TO-247-4 |
| Package / Case | TO-247-4 |
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