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G2R1000MT33J

G2R1000MT33J
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產(chǎn)品型號 G2R1000MT33J
制造商 GeneSiC Semiconductor
產(chǎn)品介紹 SIC MOSFET N-CH 4A TO263-7
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologySiCFET (Silicon Carbide) Drain to Source Voltage (Vdss)3300 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.2Ohm @ 2A, 20V Vgs(th) (Max) @ Id3.5V @ 2mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs21 nC @ 20 V Vgs (Max)+20V, -5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds238 pF @ 1000 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)74W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackageTO-263-7
Package / CaseTO-263-8, D2Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

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