IPW60R041C6FKSA1
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產(chǎn)品型號 | IPW60R041C6FKSA1 |
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制造商 | Infineon Technologies |
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Product parameter
Product Status | Not For New Designs | FET Type | N-Channel |
---|---|---|---|
Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 77.5A (Tc) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 41mOhm @ 44.4A, 10V | Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 2.96mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 290 nC @ 10 V | Vgs (Max) | ±20V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6530 pF @ 10 V | FET Feature | - |
Power Dissipation (Max) | 481W (Tc) | Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Mounting Type | Through Hole | Supplier Device Package | PG-TO247-3-1 |
Package / Case | TO-247-3 |
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