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2N6661

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產(chǎn)品型號(hào) 2N6661
制造商 Microchip Technology
產(chǎn)品介紹 MOSFET N-CH 90V 350MA TO39
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)90 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C350mA (Tj) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs4Ohm @ 1A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs- Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds50 pF @ 24 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)6.25W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole Supplier Device PackageTO-39
Package / CaseTO-205AD, TO-39-3 Metal Can

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