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IPP110N20NAAKSA1

IPP110N20NAAKSA1
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產(chǎn)品型號(hào) IPP110N20NAAKSA1
制造商 Infineon Technologies
產(chǎn)品介紹 MOSFET N-CH 200V 88A TO220-3
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C88A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs10.7mOhm @ 88A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 270μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs87 nC @ 10 V Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds7100 pF @ 100 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)300W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole Supplier Device PackagePG-TO220-3
Package / CaseTO-220-3

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