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SCT3120ALGC11

SCT3120ALGC11
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產(chǎn)品型號 SCT3120ALGC11
制造商 ROHM Semiconductor
產(chǎn)品介紹 SICFET N-CH 650V 21A TO247N
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologySiCFET (Silicon Carbide) Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C21A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs156mOhm @ 6.7A, 18V Vgs(th) (Max) @ Id5.6V @ 3.33mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs38 nC @ 18 V Vgs (Max)+22V, -4V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds460 pF @ 500 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)103W (Tc) Operating Temperature175°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole Supplier Device PackageTO-247N
Package / CaseTO-247-3

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