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NTMTS1D6N10MCTXG

NTMTS1D6N10MCTXG
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產(chǎn)品型號 NTMTS1D6N10MCTXG
制造商 onsemi
產(chǎn)品介紹 SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 10
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C36A (Ta), 273A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.7mOhm @ 90A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 650μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs106 nC @ 10 V Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds7630 pF @ 50 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)5W (Ta), 291W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device Package8-DFNW (8.3x8.4)
Package / Case8-PowerTDFN

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