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G3R350MT12D

G3R350MT12D
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產(chǎn)品型號 G3R350MT12D
制造商 GeneSiC Semiconductor
產(chǎn)品介紹 SIC MOSFET N-CH 11A TO247-3
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologySiCFET (Silicon Carbide) Drain to Source Voltage (Vdss)1200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C11A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs420mOhm @ 4A, 15V Vgs(th) (Max) @ Id2.69V @ 2mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs12 nC @ 15 V Vgs (Max)±15V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds334 pF @ 800 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)74W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole Supplier Device PackageTO-247-3
Package / CaseTO-247-3

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