IPT026N10N5ATMA1
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| 產品型號 | IPT026N10N5ATMA1 |
|---|---|
| 制造商 | Infineon Technologies |
| 產品介紹 | MOSFET N-CH 100V 27A/202A 8HSOF 我們努力為客戶提供 Infineon Technologies品牌的產品IPT026N10N5ATMA1 最有競爭力的供應鏈服務，請登錄我們官網(wǎng) m.r8uu.com了解產品信息或聯(lián)系我們銷售代表 |
- 產品參數(shù)
- pdf參數(shù)資料
Product parameter
| Product Status | Active | FET Type | N-Channel |
|---|---|---|---|
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 27A (Ta), 202A (Tc) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.6mOhm @ 150A, 10V | Vgs(th) (Max) @ Id | 3.8V @ 158μA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 120 nC @ 10 V | Vgs (Max) | ±20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 8800 pF @ 50 V | FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 214W (Tc) | Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount | Supplier Device Package | PG-HSOF-8-1 |
| Package / Case | 8-PowerSFN |
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