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IPB073N15N5ATMA1

IPB073N15N5ATMA1
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產(chǎn)品型號(hào) IPB073N15N5ATMA1
制造商 Infineon Technologies
產(chǎn)品介紹 MOSFET N-CH 150V 114A TO263-3
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)150 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C114A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs7.3mOhm @ 57A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id4.6V @ 160μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs61 nC @ 10 V Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4700 pF @ 75 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)214W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackagePG-TO263-3-2
Package / CaseTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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