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BSC034N10LS5ATMA1

BSC034N10LS5ATMA1
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產(chǎn)品型號 BSC034N10LS5ATMA1
制造商 Infineon Technologies
產(chǎn)品介紹 MOSFET N-CH 100V 19A/100A TDSON
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C19A (Ta), 100A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.4mOhm @ 50A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id2.3V @ 115μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs46 nC @ 4.5 V Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds6500 pF @ 50 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)2.5W (Ta), 156W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackagePG-TDSON-8-7
Package / Case8-PowerTDFN

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