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IPD320N20N3GATMA1

IPD320N20N3GATMA1
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產(chǎn)品型號(hào) IPD320N20N3GATMA1
制造商 Infineon Technologies
產(chǎn)品介紹 MOSFET N-CH 200V 34A TO252-3
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C34A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs32mOhm @ 34A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 90μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs29 nC @ 10 V Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2350 pF @ 100 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)136W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackagePG-TO252-3
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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