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RSJ250P10TL

RSJ250P10TL
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產(chǎn)品型號(hào) RSJ250P10TL
制造商 ROHM Semiconductor
產(chǎn)品介紹 MOSFET P-CH 100V 25A LPTS
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeP-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C25A (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs63mOhm @ 25A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs60 nC @ 5 V Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds8000 pF @ 25 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)50W (Tc) Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackageLPTS
Package / CaseTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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