RSJ250P10TL
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產(chǎn)品型號(hào) | RSJ250P10TL |
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制造商 | ROHM Semiconductor |
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Product parameter
Product Status | Active | FET Type | P-Channel |
---|---|---|---|
Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 25A (Ta) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 63mOhm @ 25A, 10V | Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60 nC @ 5 V | Vgs (Max) | ±20V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 8000 pF @ 25 V | FET Feature | - |
Power Dissipation (Max) | 50W (Tc) | Operating Temperature | 150°C (TJ) |
Mounting Type | Surface Mount | Supplier Device Package | LPTS |
Package / Case | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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