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FDMC86160

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產(chǎn)品型號 FDMC86160
制造商 onsemi
產(chǎn)品介紹 MOSFET N CH 100V 9A POWER33
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C9A (Ta), 43A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs14mOhm @ 9A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs22 nC @ 10 V Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1290 pF @ 50 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)2.3W (Ta), 54W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackagePower33
Package / Case8-PowerWDFN

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