TPH2900ENH,L1Q
Toshiba Electronic Devices and圖片僅供參考。
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| 產(chǎn)品型號 | TPH2900ENH,L1Q |
|---|---|
| 制造商 | Toshiba Electronic Devices and |
| 產(chǎn)品介紹 | MOSFET N-CH 200V 33A 8SOP 我們努力為客戶提供 Toshiba Electronic Devices and品牌的產(chǎn)品TPH2900ENH,L1Q 最有競爭力的供應(yīng)鏈服務(wù)，請登錄我們官網(wǎng) m.r8uu.com了解產(chǎn)品信息或聯(lián)系我們銷售代表 |
- 產(chǎn)品參數(shù)
- pdf參數(shù)資料
Product parameter
| Product Status | Active | FET Type | N-Channel |
|---|---|---|---|
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 33A (Ta) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 29mOhm @ 16.5A, 10V | Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22 nC @ 10 V | Vgs (Max) | ±20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2200 pF @ 100 V | FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 78W (Tc) | Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount | Supplier Device Package | 8-SOP Advance (5x5) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
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