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RS3G160ATTB1

RS3G160ATTB1
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產(chǎn)品型號 RS3G160ATTB1
制造商 ROHM Semiconductor
產(chǎn)品介紹 PCH -40V -16A POWER MOSFET - RS3
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeP-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C16A (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs6.2mOhm @ 16A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs120 nC @ 10 V Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds6250 pF @ 20 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)1.4W (Ta) Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device Package8-SOP
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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