RS3G160ATTB1
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產(chǎn)品型號 | RS3G160ATTB1 |
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制造商 | ROHM Semiconductor |
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- 產(chǎn)品參數(shù)
- pdf參數(shù)資料
Product parameter
Product Status | Active | FET Type | P-Channel |
---|---|---|---|
Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16A (Ta) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.2mOhm @ 16A, 10V | Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 120 nC @ 10 V | Vgs (Max) | ±20V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6250 pF @ 20 V | FET Feature | - |
Power Dissipation (Max) | 1.4W (Ta) | Operating Temperature | 150°C (TJ) |
Mounting Type | Surface Mount | Supplier Device Package | 8-SOP |
Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
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