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FDMC510P

FDMC510P
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產(chǎn)品型號 FDMC510P
制造商 onsemi
產(chǎn)品介紹 MOSFET P-CH 20V 12A/18A 8MLP
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeP-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C12A (Ta), 18A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs8mOhm @ 12A, 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs116 nC @ 4.5 V Vgs (Max)±8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds7860 pF @ 10 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)2.3W (Ta), 41W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device Package8-MLP (3.3x3.3)
Package / Case8-PowerWDFN

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