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SI4421DY-T1-E3

SI4421DY-T1-E3
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產(chǎn)品型號 SI4421DY-T1-E3
制造商 Vishay / Siliconix
產(chǎn)品介紹 MOSFET P-CH 20V 10A 8SO
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeP-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C10A (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs8.75mOhm @ 14A, 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id800mV @ 850μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs125 nC @ 4.5 V Vgs (Max)±8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds- FET Feature-
Power Dissipation (Max)1.5W (Ta) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device Package8-SOIC
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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