SQ4425EY-T1_GE3
Vishay / Siliconix圖片僅供參考。
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| 產(chǎn)品型號 | SQ4425EY-T1_GE3 |
|---|---|
| 制造商 | Vishay / Siliconix |
| 產(chǎn)品介紹 | MOSFET P-CHANNEL 30V 18A 8SOIC 我們努力為客戶提供 Vishay / Siliconix品牌的產(chǎn)品SQ4425EY-T1_GE3 最有競爭力的供應(yīng)鏈服務(wù)，請登錄我們官網(wǎng) m.r8uu.com了解產(chǎn)品信息或聯(lián)系我們銷售代表 |
- 產(chǎn)品參數(shù)
- pdf參數(shù)資料
Product parameter
| Product Status | Active | FET Type | P-Channel |
|---|---|---|---|
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18A (Tc) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12mOhm @ 13A, 10V | Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250μA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 50 nC @ 4.5 V | Vgs (Max) | ±20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3630 pF @ 25 V | FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 6.8W (Tc) | Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount | Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
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