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SI7898DP-T1-E3

SI7898DP-T1-E3
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產(chǎn)品型號(hào) SI7898DP-T1-E3
制造商 Vishay / Siliconix
產(chǎn)品介紹 MOSFET N-CH 150V 3A PPAK SO-8
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)150 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3A (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs85mOhm @ 3.5A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs21 nC @ 10 V Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds- FET Feature-
Power Dissipation (Max)1.9W (Ta) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackagePowerPAK? SO-8
Package / CasePowerPAK? SO-8

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