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ISC058N04NM5ATMA1

ISC058N04NM5ATMA1
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產品型號 ISC058N04NM5ATMA1
制造商 Infineon Technologies
產品介紹 40V 5.8M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C17A (Ta), 63A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)7V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs5.8mOhm @ 31A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id3.4V @ 13μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs16 nC @ 10 V Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1100 pF @ 20 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)3W (Ta), 42W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackagePG-TDSON-8 FL
Package / Case8-PowerTDFN

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