SI2333DS-T1-E3
Vishay / Siliconix圖片僅供參考。
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| 產(chǎn)品型號 | SI2333DS-T1-E3 |
|---|---|
| 制造商 | Vishay / Siliconix |
| 產(chǎn)品介紹 | MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3 我們努力為客戶提供 Vishay / Siliconix品牌的產(chǎn)品SI2333DS-T1-E3 最有競爭力的供應(yīng)鏈服務(wù)，請登錄我們官網(wǎng) m.r8uu.com了解產(chǎn)品信息或聯(lián)系我們銷售代表 |
- 產(chǎn)品參數(shù)
- pdf參數(shù)資料
Product parameter
| Product Status | Active | FET Type | P-Channel |
|---|---|---|---|
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 12 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.1A (Ta) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 32mOhm @ 5.3A, 4.5V | Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250μA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18 nC @ 4.5 V | Vgs (Max) | ±8V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1100 pF @ 6 V | FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 750mW (Ta) | Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount | Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
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