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TK6R7P06PL,RQ

TK6R7P06PL,RQ
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產(chǎn)品型號(hào) TK6R7P06PL,RQ
制造商 Toshiba Electronic Devices and
產(chǎn)品介紹 MOSFET N-CHANNEL 60V 46A DPAK
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C46A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs6.7mOhm @ 23A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 300μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs26 nC @ 10 V Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1990 pF @ 30 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)66W (Tc) Operating Temperature175°C
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackageDPAK
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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