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BSC097N06NSATMA1

BSC097N06NSATMA1
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產(chǎn)品型號(hào) BSC097N06NSATMA1
制造商 Infineon Technologies
產(chǎn)品介紹 MOSFET N-CH 60V 46A TDSON-8-6
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C46A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs9.7mOhm @ 40A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id3.3V @ 14μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs15 nC @ 10 V Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1075 pF @ 30 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)2.5W (Ta), 36W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackagePG-TDSON-8-6
Package / Case8-PowerTDFN

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