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BSZ110N06NS3GATMA1

BSZ110N06NS3GATMA1
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產品型號 BSZ110N06NS3GATMA1
制造商 Infineon Technologies
產品介紹 MOSFET N-CH 60V 20A 8TSDSON
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C20A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs11mOhm @ 20A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 23μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs33 nC @ 10 V Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2700 pF @ 30 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)2.1W (Ta), 50W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackagePG-TSDSON-8
Package / Case8-PowerVDFN

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