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SIS406DN-T1-GE3

SIS406DN-T1-GE3
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產(chǎn)品型號 SIS406DN-T1-GE3
制造商 Vishay / Siliconix
產(chǎn)品介紹 MOSFET N-CH 30V 9A PPAK1212-8
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C9A (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs11mOhm @ 12A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs28 nC @ 10 V Vgs (Max)±25V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1100 pF @ 15 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)1.5W (Ta) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackagePowerPAK? 1212-8
Package / CasePowerPAK? 1212-8

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