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RQ3E120ATTB

RQ3E120ATTB
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產(chǎn)品型號 RQ3E120ATTB
制造商 ROHM Semiconductor
產(chǎn)品介紹 MOSFET P-CH 30V 12A 8HSMT
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeP-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C12A (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs8mOhm @ 12A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs62 nC @ 10 V Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3200 pF @ 15 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)2W (Ta) Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device Package8-HSMT (3.2x3)
Package / Case8-PowerVDFN

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