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RUR040N02TL

RUR040N02TL
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產(chǎn)品型號 RUR040N02TL
制造商 ROHM Semiconductor
產(chǎn)品介紹 MOSFET N-CH 20V 4A TSMT3
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4A (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs35mOhm @ 4A, 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id1.3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs8 nC @ 4.5 V Vgs (Max)±10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds680 pF @ 10 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)1W (Ta) Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackageTSMT3
Package / CaseSC-96

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