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SIA400EDJ-T1-GE3

SIA400EDJ-T1-GE3
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產(chǎn)品型號 SIA400EDJ-T1-GE3
制造商 Vishay / Siliconix
產(chǎn)品介紹 MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C12A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs19mOhm @ 11A, 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs36 nC @ 10 V Vgs (Max)±12V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1265 pF @ 15 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)19.2W (Tc) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackagePowerPAK? SC-70-6
Package / CasePowerPAK? SC-70-6

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