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SI2315BDS-T1-E3

SI2315BDS-T1-E3
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產(chǎn)品型號 SI2315BDS-T1-E3
制造商 Vishay / Siliconix
產(chǎn)品介紹 MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeP-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)12 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3A (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs50mOhm @ 3.85A, 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id900mV @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs15 nC @ 4.5 V Vgs (Max)±8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds715 pF @ 6 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)750mW (Ta) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackageSOT-23-3 (TO-236)
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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