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SI2302CDS-T1-E3

SI2302CDS-T1-E3
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產品型號 SI2302CDS-T1-E3
制造商 Vishay / Siliconix
產品介紹 MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.6A (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs57mOhm @ 3.6A, 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id850mV @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs5.5 nC @ 4.5 V Vgs (Max)±8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds- FET Feature-
Power Dissipation (Max)710mW (Ta) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackageSOT-23-3 (TO-236)
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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