DMN1019UFDE-7
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產(chǎn)品型號 | DMN1019UFDE-7 |
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制造商 | Diodes Incorporated |
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- 產(chǎn)品參數(shù)
- pdf參數(shù)資料
Product parameter
Product Status | Active | FET Type | N-Channel |
---|---|---|---|
Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 12 V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Ta) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10mOhm @ 9.7A, 4.5V | Vgs(th) (Max) @ Id | 800mV @ 250μA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 50.6 nC @ 8 V | Vgs (Max) | ±8V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2425 pF @ 10 V | FET Feature | - |
Power Dissipation (Max) | 690mW (Ta) | Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Mounting Type | Surface Mount | Supplier Device Package | U-DFN2020-6 (Type E) |
Package / Case | 6-PowerUDFN |
DMN1019UFDE-7 相關(guān)的關(guān)鍵詞
DMN1019UFDE-7是一款高性能、可靠性強的單 FET、MOSFET
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