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FDC637BNZ

FDC637BNZ
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產(chǎn)品型號 FDC637BNZ
制造商 onsemi
產(chǎn)品介紹 MOSFET N-CH 20V 6.2A SUPERSOT6
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6.2A (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs24mOhm @ 6.2A, 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs12 nC @ 4.5 V Vgs (Max)±12V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds895 pF @ 10 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)1.6W (Ta) Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackageSuperSOT?-6
Package / CaseSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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