2N7002ET1G
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產(chǎn)品型號(hào) | 2N7002ET1G |
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制造商 | onsemi |
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Product parameter
Product Status | Active | FET Type | N-Channel |
---|---|---|---|
Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 260mA (Ta) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5Ohm @ 240mA, 10V | Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250μA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.81 nC @ 5 V | Vgs (Max) | ±20V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 26.7 pF @ 25 V | FET Feature | - |
Power Dissipation (Max) | 300mW (Tj) | Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Mounting Type | Surface Mount | Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
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