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EPC2019

EPC2019
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產(chǎn)品型號(hào) EPC2019
制造商 EPC
產(chǎn)品介紹 GANFET N-CH 200V 8.5A DIE
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Product parameter

Product StatusActive FET TypeN-Channel
TechnologyGaNFET (Gallium Nitride) Drain to Source Voltage (Vdss)200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C8.5A (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs42mOhm @ 7A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2.9 nC @ 5 V Vgs (Max)+6V, -4V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds288 pF @ 100 V FET Feature-
Power Dissipation (Max)- Operating Temperature-40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Supplier Device PackageDie
Package / CaseDie

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