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GT20N135SRA,S1E

GT20N135SRA,S1E
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產(chǎn)品型號 GT20N135SRA,S1E
制造商 Toshiba Electronic Devices and
產(chǎn)品介紹 D-IGBT TO-247 VCES=1350V IC=40A
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Product parameter

Product StatusActive IGBT Type-
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)1350 V Current - Collector (Ic) (Max)40 A
Current - Collector Pulsed (Icm)80 A Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2.4V @ 15V, 40A
Power - Max312 W Switching Energy-, 700μJ (off)
Input TypeStandard Gate Charge185 nC
Td (on/off) @ 25°C- Test Condition300V, 40A, 39Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)- Operating Temperature175°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole Package / CaseTO-247-3
Supplier Device PackageTO-247

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