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HGTD10N50F1

HGTD10N50F1
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產(chǎn)品型號 HGTD10N50F1
制造商 Harris Corporation
產(chǎn)品介紹 10A, 500V N-CHANNEL IGBT
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Product parameter

Product StatusActive IGBT Type-
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)500 V Current - Collector (Ic) (Max)12 A
Current - Collector Pulsed (Icm)- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2.5V @ 10V, 5A
Power - Max75 W Switching Energy-
Input TypeStandard Gate Charge13.4 nC
Td (on/off) @ 25°C- Test Condition-
Reverse Recovery Time (trr)- Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole Package / CaseTO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Supplier Device PackageI-PAK

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