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HGTD8P50G1S

HGTD8P50G1S
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產(chǎn)品型號 HGTD8P50G1S
制造商 Harris Corporation
產(chǎn)品介紹 8A, 500V P-CHANNEL IGBT
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Product parameter

Product StatusActive IGBT Type-
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)500 V Current - Collector (Ic) (Max)12 A
Current - Collector Pulsed (Icm)18 A Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2.9V @ 15V, 3A
Power - Max66 W Switching Energy-
Input TypeStandard Gate Charge30 nC
Td (on/off) @ 25°C- Test Condition-
Reverse Recovery Time (trr)- Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device PackageTO-252AA

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