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HGTG32N60E2

HGTG32N60E2
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產(chǎn)品型號 HGTG32N60E2
制造商 Harris Corporation
產(chǎn)品介紹 50A, 600V N-CHANNEL IGBT
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Product parameter

Product StatusActive IGBT Type-
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)600 V Current - Collector (Ic) (Max)50 A
Current - Collector Pulsed (Icm)200 A Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2.9V @ 15V, 32A
Power - Max208 W Switching Energy-
Input TypeStandard Gate Charge265 nC
Td (on/off) @ 25°C- Test Condition-
Reverse Recovery Time (trr)- Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole Package / CaseTO-247-3
Supplier Device PackageTO-247

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