HGT1S2N120CN
Fairchild Semiconductor圖片僅供參考。
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| 產(chǎn)品型號(hào) | HGT1S2N120CN |
|---|---|
| 制造商 | Fairchild Semiconductor |
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- 產(chǎn)品參數(shù)
- pdf參數(shù)資料
Product parameter
| Product Status | Obsolete | IGBT Type | NPT |
|---|---|---|---|
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V | Current - Collector (Ic) (Max) | 13 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 20 A | Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 2.6A |
| Power - Max | 104 W | Switching Energy | 96μJ (on), 355μJ (off) |
| Input Type | Standard | Gate Charge | 30 nC |
| Td (on/off) @ 25°C | 25ns/205ns | Test Condition | 960V, 2.6A, 51Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - | Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole | Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA |
| Supplier Device Package | TO-262 |
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